Nou mòdul de potència sic de 1700v

ROHM ha anunciat el desenvolupament d’un mòdul de potència SiC de 1700V / 250A que proporciona un alt nivell de fiabilitat optimitzat per a aplicacions d’inversors i convertidors, com ara sistemes de generació d’energia exterior i fonts d’alimentació industrials.

En els darrers anys, a causa dels seus avantatges d’estalviar energia, el SiC està adoptant una major adopció en aplicacions de 1200 V, com ara vehicles elèctrics i equips industrials. La tendència cap a una densitat de potència més elevada ha provocat tensions del sistema més elevades, cosa que augmenta la demanda de productes de 1700 V. Tot i això, ha estat difícil aconseguir la fiabilitat desitjada i, per tant, els IGBT generalment són preferits per a aplicacions de 1700V. Com a resposta, ROHM va ser capaç d’assolir una elevada fiabilitat a 1700V, tot mantenint el rendiment d’estalvi energètic dels seus populars productes SiC de 1200V, aconseguint la primera comercialització amb èxit del món de mòduls de potència SiC classificats a 1700V.

El BSM250D17P2E004 utilitza nous mètodes de construcció i materials de recobriment per evitar la ruptura dielèctrica i suprimir els augments del corrent de fuita. Com a resultat, s’aconsegueix una alta fiabilitat que impedeix la ruptura dielèctrica fins i tot després de 1.000 hores sota proves de polarització d’alta humitat a alta temperatura (HV-H3TRB). Això garanteix un funcionament en alta tensió (1700V) fins i tot en entorns de temperatura i humitat severes.

La incorporació dels provats MOSFET SiC de ROHM i els díodes de barrera SiC Schottky al mateix mòdul i l’optimització de l’estructura interna permeten reduir la resistència a l’EN un 10% respecte a altres productes SiC de la seva classe. Això es tradueix en un millor estalvi d’energia i una menor dissipació de calor en qualsevol aplicació.

Característiques clau

1. Assoleix el màxim nivell de fiabilitat en entorns amb alta temperatura i humitat

Aquest últim mòdul de 1700V introdueix un nou mètode d’embalatge i materials de recobriment per protegir el xip, que permet assolir la primera comercialització amb èxit d’un mòdul SiC de 1700V, passant les proves de fiabilitat HV-H3TRB.

Per exemple, durant les proves d’alta humitat a alta temperatura, el BSM250D17P2E004 va mostrar una fiabilitat superior sense fallades, fins i tot quan s’aplica 1.360V durant més de 1.000 hores a 85 ° C i un 85% d’humitat, a diferència dels mòduls convencionals IGBT que normalment fallen en 1.000 hores a causa del dielèctric desglossament. Per garantir el màxim nivell de fiabilitat, ROHM va provar el corrent de fuita dels mòduls a diferents intervals amb el màxim nivell de tensió de bloqueig de 1700V.

2. La resistència a l'encesa superior contribueix a un major estalvi d'energia

La combinació dels díodes de barrera SiC Schottky i MOSFET de ROHM dins del mateix mòdul permet reduir la resistència a l’encesa en un 10% en comparació amb altres productes de la seva classe, contribuint a millorar l’estalvi d’energia.

Núm. De peça	Valoracions màximes absolutes (Ta = 25ºC)	Inductància (nH)	Paquet (mm)	Termistor
VDSS (V)	VGS (V)	Identificador (A)	Tj màx (ºC)	Tstg (ºC)	Visol (V)
BSM080D12P2C008	1200	-6 a 22	80	175	-40 a 125	2500	25	Tipus C 45,6 x 122 x 17	NA
BSM120D12P2C005	120
BSM180D12P3C007	-4 a 22	180
BSM180D12P2E002	-6 a 22	180	13	Tipus E 62 x 152 x 17	SÍ
BSM300D12P2E001	300
BSM400D12P3G002	-4 a 22	400	10	Tipus G 62 x 152 x 17
BSM600D12P3G001	600
BSM250D17P2E004	1700	-6 a 22	250	3400	13	Tipus E 62 x 152 x 17